Les transistors de carbure de silicium (sic) sont un nouveau type de dispositif de l'électronique de puissance qui offrent des vitesses de changement plus rapides, des pertes de puissance faible, et une tolérance plus élevée de la température comparée aux transistors basés sur silicium traditionnels. Ceci les rend idéaux pour l'usage dans des applications performantes telles que des véhicules électriques, des systèmes énergétiques renouvelables, et l'équipement industriel.

Un nouveau sic transistor a été récemment développé par des chercheurs qui est des conceptions bien plus efficaces et plus rapide que précédentes. Le nouveau transistor, appelé un transistor « de canal vertical » sic, a une structure unique qui tient compte d'un meilleur contrôle du champ électrique dans le dispositif. Ceci a comme conséquence des vitesses de changement plus rapides et des pertes de puissance faible, qui mène consécutivement à des systèmes plus efficaces de l'électronique de puissance.

On s'attend à ce que le transistor vertical de canal sic ait un large éventail d'applications, incluant dans les véhicules électriques, les centres de traitement des données, et les systèmes énergétiques renouvelables. On s'attend à ce qu'également joue un rôle important dans le développement des systèmes de la deuxième génération de l'électronique de puissance qui sont plus efficaces, compacts, et fiables que des technologies actuelles.